N2AXE11A -负载细胞A.S.I.S.棘(一对)gydF4y2Ba

负载细胞,2-axialgydF4y2Ba
地点:A.S.I.S.棘gydF4y2Ba
左和右(一对)gydF4y2Ba

技术描述gydF4y2Ba

基地的作用力导致压缩或应变的身体。使用应变片变形测量。连接多个应变仪的全桥电路补偿温度影响零信号和其他力和扭矩的cross-influence应用程序。gydF4y2Ba

力的方向gydF4y2Ba

外汇,我gydF4y2Ba

应用程序gydF4y2Ba

托尔gydF4y2Ba

相同的类型gydF4y2Ba

Kistler: M52292AgydF4y2Ba

测量规范gydF4y2Ba

电阻gydF4y2Ba
应变仪gydF4y2Ba

选项gydF4y2Ba

ID-Module集成传感器gydF4y2Ba
按照SAE J211极性gydF4y2Ba

技术规范gydF4y2Ba

单位gydF4y2Ba 价值gydF4y2Ba
FgydF4y2BaXgydF4y2Ba 米gydF4y2BaYgydF4y2Ba
测量范围gydF4y2Ba kNgydF4y2Ba

纳米gydF4y2Ba

13gydF4y2Ba

320年gydF4y2Ba
1)敏感性gydF4y2Ba µV / V / kNgydF4y2Ba

µV / V / NmgydF4y2Ba

92年gydF4y2Ba

4.4gydF4y2Ba
输出信号1),2)gydF4y2Ba mV / VgydF4y2Ba 1.2gydF4y2Ba 1.4gydF4y2Ba
桥电阻gydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba 350年gydF4y2Ba 350年gydF4y2Ba
零信号1)gydF4y2Ba mV / VgydF4y2Ba ≤0.05gydF4y2Ba
振幅非线性3)gydF4y2Ba %gydF4y2Ba ≤2.0gydF4y2Ba
滞后3)gydF4y2Ba %gydF4y2Ba ≤2.5gydF4y2Ba
通道相声3)gydF4y2Ba %gydF4y2Ba ≤5.0gydF4y2Ba
电源电压gydF4y2Ba VgydF4y2Ba 男童gydF4y2Ba
极限载荷gydF4y2Ba %gydF4y2Ba 150年gydF4y2Ba
绝缘电阻gydF4y2Ba MΩgydF4y2Ba > 100gydF4y2Ba
温度范围gydF4y2Ba °CgydF4y2Ba -30…+ 70gydF4y2Ba
重量(近似)gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 250年gydF4y2Ba

所有值在10 V电源电压传感器,测量23°C。gydF4y2Ba
1)典型值gydF4y2Ba
2)在额定负载gydF4y2Ba
3)相对标称范围gydF4y2Ba

N2AXE11A维度gydF4y2Ba

温度范围gydF4y2Ba °CgydF4y2Ba -30…+ 70gydF4y2Ba